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磁敏元件

霍爾元件


    霍爾元件是磁電轉換芯片的一種。其工作基于霍爾原理。


    霍爾元件在恒流驅動條件下:VH= RH/d ? Ic ?B (RH是霍爾系數)
    對于特定霍爾元件,其霍爾系數RH與厚度d為確定值,則霍爾電壓VH正比于驅動電流Ic和正交磁感應密度B。霍爾系數RH是一個元件內部參數,其與材料種類、摻雜濃度n且和環境溫度Ta強相關。
    霍爾元件在恒壓驅動條件下 VHnW/L? VC?B(μn為電子遷移率)
    本公司霍爾元件采用兩種材料:砷化鎵(GaAs)和銻化銦(InSb)。
    在常溫(300K)環境下這兩種化合物半導體材料及相應霍爾元件與硅(Si)材料及其霍爾元件性能特性:
材料 電子遷移率μn[cm2/Vs] 禁帶寬度Eg[eV] 霍爾電壓VH[mV] 對應驅動條件
Si 1450 1.12 6 3V、50mT
GaAs 8000 1.42 40 3V、50mT
InSb 75000 0.17 250 1V、50mT
    各類霍爾元件靈敏度對比:InSb > GaAs > Si
    各類霍爾元件靈溫度穩定性對比:GaAs > Si > InSb

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